SAMSUNG SOLID STATE DRIVE SSD SATA-III 500 GB EVO 870 MZ-77E500B/EU

Quantità Disponibile: 2

Magazzino Principale: 1

Magazzino Catania: 1

Quantità in Arrivo: 5

Sku: 14241

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Categorie :HARD DISK, HD SSD

L’SSD che stavi aspettando
L’ultimissimo modello della serie di SSD più venduti al mondo è finalmente arrivato. Ereditando la tecnologia degli SSD Samsung, il nuovo 870 EVO raggiunge livelli di performance, affidabilità e compatibilità superiori per rispondere alle esigenze di tutti gli utenti, dai creatori di contenuti ai professionisti informatici e non solo.

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* Fonti: serie 850 EVO e 860 EVO, NPD (dati USA da gennaio 2015 ad aprile 2020 ) e GfK (dati EU5 da gennaio 2015 ad aprile 2020, dati Cina da settembre 2018 ad aprile 2020)

Prestazioni d’eccellenza
Raggiungendo il limite massimo consentito dall’interfaccia SATA, pari a 560/530 MB/s per le velocità di accesso sequenziali, l’unità 870 EVO offre prestazioni di livello professionale in qualsiasi occasione. La tecnologia Intelligent TurboWrite aumenta le velocità di scrittura e garantisce prestazioni elevate a lungo termine con un buffer variabile più grande.

Applicazioni:
PC Client
Interfaccia:
Interfaccia SATA 6Gb/s, compatibile con SATA 3Gb/s e interfaccia SATA 1,5Gb/s
Dimensioni (LxAxP):
100 X 69.85 X 6.8 (mm)
Peso:
Circa 45g
Lettura sequenziale:
Fino a 560 MB/sec * * Le prestazioni possono variare in base all'hardware e alla configurazione del sistema
Scrittura sequenziale:
Fino a 530 MB/sec * * Le prestazioni possono variare in base all'hardware e alla configurazione del sistema
Applicazioni:
PC Client
Capacità:
500 GB (1GB=1 miliardo di byte da IDEMA) * *La capacità effettiva utilizzabile può essere inferiore (a seconda della formattazione, delle partizioni, del sistema operativo, delle applicazioni o altro)
Interfaccia:
Interfaccia SATA 6Gb/s, compatibile con SATA 3Gb/s e interfaccia SATA 1,5Gb/s
Dimensioni (LxAxP):
100 X 69.85 X 6.8 (mm)
Memoria di archiviazione:
Samsung V-NAND 3bit MLC
Memoria cache:
SDRAM DDR4 a basso consumo da 512MB Samsung
Supporto S.M.A.R.T:
S.M.A.R.T Supportato
GC (Garbage Collection):
Auto Garbage Collection Algorithm
Supporto crittografia:
Crittografia AES a 256 bit (Classe 0), TCG/Opal, IEEE1667 (unità crittografata)
Lettura sequenziale:
Fino a 560 MB/sec * * Le prestazioni possono variare in base all'hardware e alla configurazione del sistema
Scrittura sequenziale:
Fino a 530 MB/sec * * Le prestazioni possono variare in base all'hardware e alla configurazione del sistema
Lettura casuale (4 KB, QD32):
Fino a 98.000 IOPS * * Le prestazioni possono variare in base all'hardware e alla configurazione del sistema **Misurat con la tecnologia TurboWrite attiva
Scrittura casuale (4 KB, QD32):
Fino a 88.000 IOPS * * Le prestazioni possono variare in base all'hardware e alla configurazione del sistema **Misurat con la tecnologia TurboWrite attiva
Lettura casuale (4 KB, QD1):
Fino a 13.000 IOPS * * Le prestazioni possono variare in base all'hardware e alla configurazione del sistema **Misurat con la tecnologia TurboWrite attiva
Scrittura casuale (4 KB, QD1):
Fino a 36.000 IOPS * * Le prestazioni possono variare in base all'hardware e alla configurazione del sistema **Misurat con la tecnologia TurboWrite attiva
Consumo energetico medio (a livello di sistema):
*Medio: 2,2 W *Max: 3,5 W (Modalità Burst)* *Il consumo energetico effettivo può variare in base all'hardware e alla configurazione del sistema
Consumo energetico (inattivo):
Max. 30 mW * Il consumo energetico effettivo può variare in base all'hardware e alla configurazione del sistema
Tensione consentita:
5V ± 5% Allowable voltage
Affidabilità (MTBF):
1.5 milioni di ore affidabilità (MTBF)
Temperatura di funzionamento:
0 - 70 ?
Shock:
1.500 G & 0,5 ms (Half sine)
Garanzia:
5 anni di garanzia limitata o fino a 300 TBW
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